半導体のドライエッチング方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178189
公開番号（公開出願番号）：特開平9-007996
出願日： 1995年06月19日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板に形状の整った非常に深い深溝を高精度に高速度で形成すること。【構成】ドライエッチング装置に、RIE(反応性イオン・エッチング)装置を用い、エッチングガスには、Cl2 、SF6 、Heガスを含むO2ガスを用いた。結果としてエッチング速度が向上し、且つ、対SiO2選択比が大きく、側壁角度がほぼ90度のわずかなテーパー性を保ちつつ、より深い深溝を再現性良く形状良好に形成することができた。又、上記ガスにHBr ガスを混入することで、さらに、トレンチの形状をより良く制御できる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板をドライエッチングする方法において、塩素又は塩素を含有するガスと、酸素を含有するガスとから成るエッチングガスでエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-240027
特開平3-129730
特開昭63-316440

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