特許
J-GLOBAL ID：200903007895794414

半導体装置の製造方法及び半導体製造装置

発明者：
高澤 裕真

高澤 裕真 について

, 
柄澤 元

柄澤 元 について


出願人/特許権者：
国際電気株式会社

国際電気株式会社 について


代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-245061
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150815
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 容量電極表面積を拡大するための半球状結晶粒(HSG)の形成工程において、選択性が優れ、欠陥のない安定したHSGを形成する。【解決手段】 層間絶縁膜となるシリコン系絶縁膜が形成されたSiウェーハ上に、容量電極となるアモルファスシリコン膜を形成する。アモルファスシリコン膜の上に、結晶核形成温度を620°C未満として、欠陥がほとんど存在しないHSG膜を形成する。また、結晶核形成のために供給するモノシラン(SiH4)の流量と結晶核形成温度とを、適度に制御することにより、HSG核が、アモルファスシリコン膜上にのみ形成されて、シリコン系絶縁膜には形成されないように選択性を持たせることができる。
請求項（抜粋）：
表面に容量電極となるアモルファスシリコン膜が形成された基板にHSG膜を形成するに際して、前記アモルファスシリコン膜上に形成するHSG膜に、HSGが形成されない部分である欠陥がほとんど生じないようにするために、所定の温度範囲で前記HSG膜の核となる結晶核を形成し、前記結晶核を成長させて前記HSG膜を形成するようにした半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
引用特許：
審査官引用 (4件)
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