特許
J-GLOBAL ID：200903007978109365

熱電変換装置

発明者：
安部 正幸

安部 正幸 について

, 
森川 茂

森川 茂 について


出願人/特許権者：
株式会社関西新技術研究所

株式会社関西新技術研究所 について


代理人 (1件)： 北村 修一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-278444
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102644
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 p型半導体を備えてなるp型熱電変換層3とn型半導体を備えてなるn型熱電変換層2を熱吸収導電体4を介して電気的に直列接続し、その両端に熱起電力を取り出す電極5を設けてなる熱電変換装置であって、高検出能化と高速応答性の両立、更には、熱電変換層の高集積化が可能なものを提供する。【解決手段】 赤外線を透過可能な基板1上に赤外線を透過可能なn型及びp型の熱電変換層2,3を形成し、基板1の裏面1a側から入射する赤外線を熱吸収導電体4に対して集光可能なレンズ面7を基板裏面1aに形成してなる。
請求項（抜粋）：
赤外線を透過可能な基板上にp型半導体を備えてなる赤外線を透過可能なp型熱電変換層とn型半導体を備えてなる赤外線を透過可能なn型熱電変換層の内の少なくとも何れか一方の熱電変換層を有し、その熱電変換層の両端に熱起電力を取り出す高温側電極と低温側電極を夫々設けてなる熱電変換装置であって、前記高温側電極に対して前記基板の裏面側から入射する赤外線を集光可能なレンズ面を前記基板の裏面に形成してなる熱電変換装置。
IPC (2件)：
H01L 35/32 ,  G01J 1/02
FI (4件)：
H01L 35/32 A ,  G01J 1/02 B ,  G01J 1/02 C ,  G01J 1/02 Q
Fターム (8件)：
2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA11 ,  2G065BA34 ,  2G065BB06 ,  2G065BE07 ,  2G065BE08 ,  2G065CA05
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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