半導体ウェーハなどのワークピースの処理方法および処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-543258
公開番号（公開出願番号）：特表2002-511644
出願日： 1999年04月16日
公開日（公表日）： 2002年04月16日
要約：

【要約】マイクロエレクトロニクス製造産業の汚染問題に対処する化学処理シーケンスで用いられる新規な化学的作用および応用技術について説明する。これらの問題とは、すなわち、有機物、粒子、金属/イオン、二酸化シリコンに関する汚染を極力抑えることである。一般的にいえば、ワークピース表面に対して化学作用を有する流れを供給することにより、半導体ウェーハなどのワークピースを洗浄する。オゾンは、処理液体の流れ、または処理環境の中に供給される。液体または蒸気の形態を有する化学作用を有する流れがウェーハに供給され、これにより、ワークピース表面上に形成される界面層を制御することができる。化学作用を有する流れは、粒子と有機物を同時に除去するための水酸化アンモニウムなどの成分を含むものであってもよいし、溶液のpHを上げるための別の化学薬品であってもよいし、あるいは、1つまたはそれ以上の洗浄処理を行うように考案されたその他の化学的添加剤であってもよい。

請求項（抜粋）：

ワークピースを処理する方法であって、ワークピースを高温度に維持するのを支援するための加熱された液体を、処理すべきワークピースの表面上に供給するステップと、ワークピースを包囲する環境内にかなりの量のオゾンを導入するステップと、薄い液体界面層を形成するためにワークピースの表面上に加熱された液体の厚みを制御するステップとを有し、ワークピースの表面において、オゾンが反応するために液体界面層を介して拡散できるようにしたことを特徴とする方法。

IPC (7件)：

H01L 21/304 643 , H01L 21/304 645 , B08B 3/08 , B08B 3/12 , B08B 6/00 , G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (7件)：

H01L 21/304 643 A , H01L 21/304 645 Z , B08B 3/08 A , B08B 3/12 A , B08B 6/00 , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

Fターム (31件)：

2H096AA25 , 2H096CA01 , 2H096LA03 , 2H096LA30 , 3B116AA03 , 3B116BA13 , 3B116BB21 , 3B116BB82 , 3B116BB87 , 3B116BB89 , 3B116BB90 , 3B116CC01 , 3B116CC03 , 3B116CD22 , 3B201AA03 , 3B201AB33 , 3B201BB21 , 3B201BB82 , 3B201BB87 , 3B201BB89 , 3B201BB90 , 3B201BB92 , 3B201BB96 , 3B201BB98 , 3B201CC01 , 3B201CC12 , 3B201CC13 , 3B201CD22 , 5F046HA03 , 5F046MA02 , 5F046MA03

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-370931
基板洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-165387 出願人：日立造船株式会社
半導体基板洗浄方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-075041 出願人：日本電気株式会社

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