特許
J-GLOBAL ID：200903008022988219

半導体発光素子

発明者：
加藤 久弥

加藤 久弥 について

, 
渥美 欣也

渥美 欣也 について

, 
照井 武和

照井 武和 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-201356
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026439
出願日： 2000年07月03日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 筐体における戻り光が、半導体発行素子の使用目的を妨げる迷光となることを防止することができる半導体発光素子を提供すること。【解決手段】 半導体発光素子5は、ステム11の前方の表面にて、柱状の台座13がレーザ光の出射方向に立設されており、台座13の上部には板状のサブマウント15が配置されている。サブマウント15の上部には、レーザ光を出射方向に射出する半導体発光チップ17が配置されている。この半導体発光チップ17には、ステム11を貫いて伸びる二本のリード線19が電気的に接続されている。特に、台座正面13aには光吸収膜として機能する黒体塗膜29が形成されている。
請求項（抜粋）：
電気を光に変換する半導体発光チップと、前記半導体発光チップをサブマウントを介して又は介さずして搭載する台座と、を備え、前記半導体発光チップから所定の出射方向にレーザ光を出射する半導体発光素子において、前記出射されたレーザ光の戻り光が入射する前記台座正面に、前記戻り光を吸収する光吸収膜を設けたことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (9件)：
5F073AB21 ,  5F073AB25 ,  5F073AB29 ,  5F073EA26 ,  5F073FA02 ,  5F073FA16 ,  5F073FA17 ,  5F073FA23 ,  5F073FA30
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 反射光防止型半導体レーザダイオード装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-190957   出願人：日本電気株式会社
  • 特開昭62-104093
  • 特開昭62-104093
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