特許
J-GLOBAL ID：200903008023532529
基板上に半導体膜を形成するための装置および方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-265170
公開番号（公開出願番号）：特開平9-106952
出願日： 1995年10月13日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の特性を低下させることなく短時間でかつ低コストで半導体基板の両主面上に半導体膜を形成することを目的とする。【解決手段】 半導体基板(11,76)の一方の主面上に減圧下で少なくとも1つの半導体膜(74,75)を形成し、その基板(11)の他方の主面が開放面になるように減圧下でその基板を反転し、反転された基板(11)のその他方の主面上に減圧下で少なくとも1つの半導体膜(77,78)を形成することを特徴としている。
請求項（抜粋）：
対向する2つの主面を有する基板の開放された一方の主面上に少なくとも1つの半導体膜を減圧下で形成するための少なくとも1つの減圧反応室と、前記一方の主面上に前記少なくとも1つの半導体膜が形成された前記基板の他方の主面が開放面になるように前記基板を減圧下で反転するための基板反転用減圧室と、前記反転された基板の前記他方の主面上に少なくとも1つの半導体膜を減圧下で形成するための少なくとももう1つの減圧反応室と、前記基板を前記少なくとも1つの減圧反応室から前記基板反転用減圧室へ輸送するとともに前記基板反転用減圧室から前記少なくとももう1つの減圧反応室へ輸送するための基板輸送手段とを含むことを特徴とする基板上に半導体膜を形成するための装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/68
, H01L 31/04
H01L 21/205
, H01L 21/68 A
, H01L 31/04 T
