特許
J-GLOBAL ID：200903008033883192
非導電性多孔質体改質体の製造方法及び製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森田 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-255024
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091973
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】安価であって、しかも、処理効率が高く、被処理体を均一に処理可能な、非導電性多孔質体改質体の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】前記製造方法では、非通気性誘電体を少なくとも含む非通気性材料からなる囲繞体31,32で減圧且つ放電可能に囲まれた放電処理空間内に、被処理体である非導電性多孔質体11の少なくとも一部を配置し、前記放電処理空間の内部を排気手段41により減圧し、前記空間内に配置されている被処理体部分と囲繞体とを実質的に密着させ、前記の放電処理空間の外側に位置する放電発生手段21,22,51により、減圧した状態を維持しながら前記放電処理空間の内部で放電を発生させ、非導電性多孔質体の総表面を処理する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
非通気性誘電体を少なくとも含む非通気性材料からなる囲繞体で減圧可能且つ放電可能に囲まれた放電処理空間内に、被処理体である非導電性多孔質体の少なくとも一部を配置し、前記放電処理空間の内部を減圧し、前記空間内に配置されている被処理体部分と囲繞体とを実質的に密着させ、前記の放電処理空間の外側に位置する放電発生手段により、減圧した状態を維持しながら前記放電処理空間の内部で放電を発生させ、非導電性多孔質体の総表面を処理することを特徴とする、非導電性多孔質体改質体の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
4L031CB04
, 4L031DA00
, 4L031DA08
