特許
J-GLOBAL ID:200903008072252990

酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-087062
公開番号(公開出願番号):特開平10-287423
出願日: 1997年04月04日
公開日(公表日): 1998年10月27日
要約:
【要約】【課題】 電気特性、磁気特性が高い大きな配向した超電導体結晶を有する酸化物超電導体を製造できる酸化物超電導体の製造方法及びその様な特性を有する酸化物超電導体を提供する。【解決手段】 本発明の酸化物超電導体の製造方法は、原料混合体に少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施して、REーBaーCuーO系酸化物超電導体を製造する場合に、前記焼成工程前の原料混合体中の酸素含有量を15〜20wt%に調整することを特徴とし、また、本発明の酸化物超電導体は、REBa2 Cu3 07-x 相中にRE2 BaCuO5 相が微細に分散した酸化物超電導体において酸素含有量を15〜20wt%とし、また、表面の任意の領域における30cm2 以上の一続きにわたって保持できる磁束密度を0.1T以上としたものである。
請求項(抜粋):
RE化合物(REはYを含む1種もしくは2種以上の希土類金属元素)、Ba化合物及びCu化合物を含む原料混合体に、少なくとも該原料混合体の融点より高い温度領域における焼成工程を含む処理を施してREーBaーCuーO系酸化物超電導体を製造する酸化物超電導体の製造方法において、前記焼成工程前の原料混合体中の酸素含有量を15〜20wt%とすることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。
IPC (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/45 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/00 ZAA
FI (5件):
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 C ,  H01L 39/00 ZAA S ,  C04B 35/00 ZAA K
引用特許:
審査官引用 (4件)
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