特許

J-GLOBAL ID：200903008074391814

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 岡崎 治彦 ,  藤本 英俊 ,  石川 正行 ,  布上 真也 ,  波多腰 玄一 ,  山本 雅裕
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-189730
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093198
出願日： 1997年07月15日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体材料を用いたダブルへテロ構造部におけるキャリアの注入及び光の閉じ込めを良好に行うことができ、低しきい値で発振する短波長の光源として利用できる。【解決手段】 サファイア基板101上に窒化ガリウム系化合物半導体材料からなり、活性層106をn型クラッド層104及びp型クラッド層108で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、ダブルへテロ構造部は、サファイア基板101上にGaNバッファ層102を介して形成され、かつメサ型に形成され、このメサ型構造の両側が高抵抗のGaN電流ブロック層110で埋め込まれている。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体材料(Inx Gay Alz B1-x-y-z N:0≦x,y,z,x+y+z≦1)からなり、活性層を導電型の異なるクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造部を有する半導体レーザにおいて、前記ダブルヘテロ構造部は、基板上に窒化ガリウム系化合物半導体材料からなるバッファ層を介して形成され、かつメサ型に形成され、このメサ型構造の両側が電流ブロック層で埋め込まれてなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-219090
  
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-305257   出願人：旭化成工業株式会社
• 半導体レーザ装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-184558   出願人：株式会社東芝
• 特開昭55-082482
  
• 特開昭62-092385