特許
J-GLOBAL ID：200903008085826278

薄膜形成方法

発明者：
吉村 昌弘

吉村 昌弘 について

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宋 丞婉

宋 丞婉 について

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渡辺 友亮

渡辺 友亮 について


出願人/特許権者：
東京工業大学長

東京工業大学長 について


代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-037901
公開番号（公開出願番号）：特開2001-329395
出願日： 2001年02月15日
公開日（公表日）： 2001年11月27日
要約：
【要約】【課題】 高エネルギープロセスを必要としない新規な薄膜合成法を提供する。【解決手段】 蒸留水にLiOH・H2O(4M)を溶解させて250mLの反応溶液を作製する。次いで、この反応溶液をフロー型反応装置内に入れ、前記反応溶液を所定の温度及び所定の流量で、前記フロー型反応装置内に設置したアノード電極及びカソード電極間に流す。次いで、前記電極間に所定の電圧を印加するとともに、前記反応溶液に過酸化水素(H2O2)からなる酸化剤を滴下し、前記アノード電極上にリチウムコバルト酸化物薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
所定の流量で流れる反応溶液中にアノード電極とカソード電極とを入れ、前記アノード電極と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加し、前記アノード電極上に、前記反応溶液の構成元素と前記アノード電極の構成元素とを含んでなる化合物の薄膜を合成することを特徴とする、薄膜形成方法。
IPC (4件)：
C25D 9/06 ,  C25D 9/04 ,  H01M 4/04 ,  H01M 4/58
FI (4件)：
C25D 9/06 ,  C25D 9/04 ,  H01M 4/04 A ,  H01M 4/58
Fターム (6件)：
5H050AA19 ,  5H050BA17 ,  5H050CA08 ,  5H050GA15 ,  5H050GA27 ,  5H050HA20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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