特許

J-GLOBAL ID：200903008115203726

磁気記憶装置

発明者： 長永 隆志 ,  黒岩 丈晴 ,  高田 裕 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  猪俣 浩一郎
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-026931
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229544
出願日： 2002年02月04日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：

【要約】【課題】 十分に高いS/N比と、微細なセル面積と、低い消費電力とを実現できる磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 本発明の磁気記憶装置は、作動検出可能なように互いに積層された2つトンネル磁気抵抗効果素子1a、1bを有している。この2つトンネル磁気抵抗効果素子1a、1bの各々は、磁化方向が固定された固着層11a、11bと、スピン偏極した電子の注入によって磁化方向が変化する記録層13a、13bと、固着層11a、11bと記録層13a、13bとの間に配置されたトンネル絶縁層12a、12bとを有している。

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定された固着層と、スピン偏極した電子の注入によって磁化方向が変化する記録層と、前記固着層と前記記録層との間に配置されたトンネル絶縁層とを有するトンネル磁気抵抗効果素子の少なくとも2つが、作動検出可能なように積層されていることを特徴とする、磁気記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (4件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12 ,  5F083LA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気抵抗効果素子および磁気記録素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-265663   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置及び情報記録方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-199590   出願人：日本電気株式会社
• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-075168   出願人：株式会社東芝