半導体ウエハの化学的機械的研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：清水守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-267282
公開番号（公開出願番号）：特開平10-113859
出願日： 1996年10月08日
公開日（公表日）： 1998年05月06日
要約：

【要約】【課題】ウエハの外周部は裏面の方向に変形するので、その分研磨パッドに加えられる圧力が減少し、ウエハの外周部における研磨パッドの変形、及びそれに伴う反発力が軽減され、ウエハ外周部における研磨速度の不均一性を減少させることができる半導体ウエハの化学的機械的研磨方法を提供する。【解決手段】研磨パッド27上に、上部よりバッキングプレート22及びバッキングフィルム23を介して半導体ウエハ26を押圧して化学的機械的に研磨する半導体ウエハの化学的機械的研磨方法において、半導体ウエハ26外周部に相当する部分が、半導体装置ウエハ26内部に相当する部分より、研磨パッド27に対する押圧力を軽減し、半導体ウエハ26外周部における研磨速度の均一性を得る。

請求項（抜粋）：

研磨パッド上に、上部よりバッキングプレート及びバッキングフィルムを介して半導体ウエハを押圧して化学的機械的に研磨する半導体ウエハの化学的機械的研磨方法において、半導体ウエハ外周部に相当する部分が、前記半導体ウエハ内部に相当する部分よりも研磨パッドに対する押圧力を軽減し、前記半導体ウエハ外周部における研磨の均一性を得ることを特徴とする半導体ウエハの化学的機械的研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 , B24B 37/04 , H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 37/00 B , B24B 37/04 E , H01L 21/304 321 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

ウェーハの研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-204098 出願人：長野電子工業株式会社, 信越半導体株式会社
基板の研磨方法および基板保持台
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-294364 出願人：ソニー株式会社
半導体ウェーハポリシング装置用のウェーハホルダ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-260426 出願人：オントラックシステムズインコーポレイテッド

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