半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249629
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098187
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】ゲート電極中のボロンがゲート酸化膜を突き抜けMOSトランジスタの特性がばらつく。【解決手段】ゲート電極10を形成する多結晶シリコン膜のうち、下層の第1多結晶シリコン膜5をCVD法で形成する場合、酸素ガスを混入した反応ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたゲート酸化膜上にシリコン膜を形成したのちこのシリコン膜をパターニングしてゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記シリコン膜は堆積条件の異なる2層のシリコン膜から構成され、下層のシリコン膜は酸素ガスを混入した反応ガスを用いるCVD法により堆積されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-108763
特開平4-372125
特開昭50-130368

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