特許
J-GLOBAL ID:200903008173059112

半導体レーザモジュール及びこれを備えた半導体レーザモジュール装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-186431
公開番号(公開出願番号):特開2009-026835
出願日: 2007年07月18日
公開日(公表日): 2009年02月05日
要約:
【課題】バースト状にパケット信号が送出される伝送方式の光送信器への適用も可能な、高周波特性に優れた半導体レーザモジュール及びこれを備えた半導体レーザモジュール装置を提供する。【解決手段】データ信号入力用のリードピン(正相データ信号入力用リードピン15、負相データ信号入力用リードピン16)とは別に、バイアス入力用リードピンとして正相バイアス入力用リードピン17及び負相バイアス入力用リードピン18、または、正相バイアス入力用リードピン17と負相バイアス入力用リードピン18の何れか一方を半導体レーザモジュール1に備える。また、各リードピン15〜18とレーザダイオード10はインピーダンス制御をした伝送線路6〜9によって接続することが望ましい。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ステムベースとステムブロックからなるステムと、該ステムブロック上に取り付けられたサブマウント部材と、該サブマウント部材に取り付けられたレーザダイオードと、を備えた半導体レーザモジュールにおいて、 前記ステムベースを貫通して取り付けられ前記レーザダイオードに対して正相データ信号電流を供給する正相データ信号入力用リードピンと、 前記ステムベースを貫通して取り付けられ前記レーザダイオードに対して負相データ信号電流を供給する負相データ信号入力用リードピンと、 前記ステムベースを貫通して取り付けられ前記レーザダイオードに対して正相バイアス電流を供給する正相バイアス入力用リードピンと、前記ステムベースを貫通して取り付けられ前記レーザダイオードに対して負相バイアス電流を供給する負相バイアス入力用リードピンの何れか一方または両方のバイアス入力用リードピンとを備えており、 前記バイアス入力用リードピンとして前記正相バイアス入力用リードピン及び前記負相バイアス入力用リードピンを有する場合には、前記正相データ信号入力用リードピン及び前記正相バイアス入力用リードピンが、前記レーザダイオードの陽極又は陰極の何れか一方の電極に接続され、且つ、前記負相データ信号入力用リードピン及び前記負相バイアス入力用リードピンが、前記レーザダイオードの他方の電極に接続されていること、 または、前記バイアス入力用リードピンとして前記正相バイアス入力用リードピンのみを有する場合には、前記正相データ信号入力用リードピン及び前記正相バイアス入力用リードピンが、前記レーザダイオードの陽極又は陰極の何れか一方の電極に接続され、且つ、前記負相データ信号入力用リードピンが、前記レーザダイオードの他方の電極に接続されていること、 または、前記バイアス入力用リードピンとして前記負相バイアス入力用リードピンのみを有する場合には、前記正相データ信号入力用リードピンが、前記レーザダイオードの陽極又は陰極の何れか一方の電極に接続され、且つ、前記負相データ信号入力用リードピン及び前記負相バイアス入力用リードピンが、前記レーザダイオードの他方の電極に接続されていること、 を特徴とする半導体レーザモジュール。
IPC (2件):
H01S 5/022 ,  H01S 5/062
FI (2件):
H01S5/022 ,  H01S5/062
Fターム (26件):
5F173AA47 ,  5F173AF98 ,  5F173AJ30 ,  5F173MA02 ,  5F173MB01 ,  5F173MC12 ,  5F173MC20 ,  5F173MD04 ,  5F173MD07 ,  5F173MD23 ,  5F173MD43 ,  5F173MD59 ,  5F173ME03 ,  5F173ME14 ,  5F173ME22 ,  5F173ME32 ,  5F173ME47 ,  5F173SA17 ,  5F173SC02 ,  5F173SE01 ,  5F173SE02 ,  5F173SF03 ,  5F173SF17 ,  5F173SF32 ,  5F173SF43 ,  5F173SG05
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 特許3379421号公報
審査官引用 (4件)
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