特許

J-GLOBAL ID：200903008183866083

薄膜集積回路の作製方法、及び素子基板

発明者： 道前 芳隆 ,  田村 友子 ,  鶴目 卓也 ,  大力 浩二
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-187582
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049851
出願日： 2005年06月28日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】 シリコンウェハから形成されるICチップは利用形態の増大、需要の増大が予想され、さらなる低コスト化が要求される。 そこで本発明は、さらなる低コストでの生産が可能なICチップの構造、プロセスの提供を課題とする。【解決手段】 本発明において、剥離層に金属膜と、該金属膜を有する反応物を用いることを特徴とする。金属膜、又は金属を有する反応物はエッチング速度が高く好ましく、さらに、金属膜、又は金属を有する反応物をエッチングする化学的手段に加え、物理的手段を用いることができ、より簡便に、短時間で剥離層を除去することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板上にW、Mo、またはW及びMoの混合物を形成し、 前記W、Mo、またはW及びMoの混合物上に、当該W、Mo、またはW及びMoの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を形成し、 前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物上に複数の薄膜集積回路を形成し、 前記複数の薄膜集積回路の境界に溝を形成することにより、前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を露出させ、 前記複数の薄膜集積回路上に開口部及びアンテナが形成されたアンテナ用基板を張り合わせ、 前記アンテナ用基板により前記複数の薄膜集積回路同士を固定したまま、前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記W、Mo、またはW及びMoの混合物、並びに前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を除去することによって前記絶縁基板を剥離する ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G06K 19/077 ,  G06K 19/07

FI (5件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  G06K19/00 K ,  G06K19/00 H

Fターム (109件)：

5B035AA04 ,  5B035BA05 ,  5B035BB09 ,  5B035CA01 ,  5B035CA23 ,  5F110AA16 ,  5F110BB04 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD12 ,  5F110EE31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG14 ,  5F110GG16 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL01 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL12 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110NN01 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP10 ,  5F110PP34 ,  5F110PP35 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ16 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ23 ,  5F110QQ28 ,  5F152AA03 ,  5F152AA12 ,  5F152AA13 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC04 ,  5F152CC05 ,  5F152CC07 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CD16 ,  5F152CD17 ,  5F152CE03 ,  5F152CE05 ,  5F152CE09 ,  5F152CE12 ,  5F152CE45 ,  5F152CF18 ,  5F152DD07 ,  5F152EE06 ,  5F152EE16 ,  5F152FF02 ,  5F152FF03 ,  5F152FF04 ,  5F152FF05 ,  5F152FF06 ,  5F152FF07 ,  5F152FF08 ,  5F152FF11 ,  5F152FF21 ,  5F152FF22 ,  5F152FF26 ,  5F152FF28 ,  5F152FF32 ,  5F152FF39 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG03 ,  5F152FG05 ,  5F152FG18 ,  5F152FG23 ,  5F152FH02 ,  5F152FH03 ,  5F152FH11 ,  5F152FH12 ,  5F152LP01 ,  5F152LP08 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN01 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NN19 ,  5F152NN20 ,  5F152NP11 ,  5F152NP12 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NP17 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ12 ,  5F152NQ13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ICチップを搭載する紙幣及び有価証券類並びにその不正利用防止方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-077750   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (6件)

• 半導体集積回路の製造方法、半導体素子部材、電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-401572   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 表面処理装置および表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-074329   出願人：株式会社東芝
• 表示装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-005860   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-348184   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• アクティブマトリクス基板とそれを用いた表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-154590   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-199535   出願人：株式会社東芝