特許

J-GLOBAL ID：200903008207024267

窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法

発明者： 酒井 光彦
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (4件)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-110279
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287757
出願日： 2006年04月12日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】 光の取り出し効率を向上することができる窒化物半導体発光素子及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る窒化物半導体発光素子は、支持基板170と、支持基板170上に設けられたp型窒化物半導体層140と、該p型窒化物半導体層140上に設けられたMQW活性層130と、該MQW活性層130上に設けられたn型窒化物半導体層120とからなる窒化物半導体層100と、n型窒化物半導体層120上に設けられたコンタクト電極161と、コンタクト電極161上に設けられた光透過性の第2透明電極165と、支持基板170上に設けられ、第2透明電極165と電気的に接続されている第2パッド電極166とを備え、MQW活性層130の主面に対して平行な面である投影面Sにおいて、MQW活性層130の主面が投影された領域と第2パッド電極166が投影された領域とが重ならない。 【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

支持基板と、 前記支持基板上に設けられたp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層上に設けられた活性層と、該活性層上に設けられたn型窒化物半導体層とを有する窒化物半導体層と、 前記n型窒化物半導体層上に設けられたコンタクト電極と、 前記コンタクト電極上に設けられた光透過性の透明電極と、 前記支持基板上に設けられ、前記透明電極と電気的に接続されているパッド電極とを備え、 前記活性層の主面に対して平行な面である投影面において、前記活性層が投影された領域と前記パッド電極が投影された領域とが重ならないことを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

H01L33/00 C ,  H01L33/00 E ,  H01L21/28 301B

Fターム (23件)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104BB36 ,  4M104DD15 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD18 ,  4M104FF01 ,  4M104FF04 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  4M104HH20 ,  5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• GaNベースの半導体デバイスを製造する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-537058   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (4件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-057235   出願人：シャープ株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-331139   出願人：京セラ株式会社
• チップ型発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-239363   出願人：ローム株式会社
• 発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-211590   出願人：三洋電機株式会社