特許
J-GLOBAL ID：200903075868168337

発光ダイオード

発明者：
堂本 千秋

堂本 千秋 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331139
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133587
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：
【要約】【課題】光の取り出し効率を向上させることが可能な高輝度の発光ダイオードを提供する。【解決手段】単結晶基板1の一主面に一導電型半導体層2及び逆導電型半導体層3を順次積層するとともに、該逆導電型半導体層3上に一方の電極4を、単結晶基板1の他主面に金属から成る他方の電極5を被着させてなる発光ダイオードにおいて、前記単結晶基板1の他主面に、断面形状が略V字状の凹部6を、例えば、400個/mm2〜40000個/mm2の密度で多数、形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶基板の一主面に一導電型半導体層及び逆導電型半導体層を順次積層するとともに、該逆導電型半導体層上に一方の電極を、前記単結晶基板の他主面に金属から成る他方の電極を被着させてなる発光ダイオードにおいて、前記単結晶基板の他主面に、断面形状が略V字状の凹部を多数、形成したことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301
FI (3件)：
H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 E ,  H01L 21/28 301 R
Fターム (17件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB13 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104GG04 ,  5F041AA03 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA75 ,  5F041CA99 ,  5F041CB15 ,  5F041EE23 ,  5F041FF11 ,  5F041FF13
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM