GaNベースの半導体デバイスを製造する方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：矢野敏雄 , 山崎利臣 , 久野琢也 , アインゼル・フェリックス=ラインハルト , ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-537058
公開番号（公開出願番号）：特表2004-512688
出願日： 2001年10月08日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

本発明は、GaNベースの多数の層を有する、有利には放射線を発する役割を果たす半導体デバイスを製造する方法に関する。GaNベースの多数の層(4)を、基板ボディ(1)と介在層(2)とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ(1)の熱膨張係数が、GaNベースの層(4)の熱膨張係数に近似しているか又はGaNベースの層(4)の熱膨張係数より大きく、GaNベースの層(4)を介在層(2)上に析出させる。有利には、介在層及び基板ボディを、ウェハボンディング法によって張り合せる。

請求項（抜粋）：

GaNベースの多数の層を有する半導体デバイスをエピタキシャル成長によって製造する方法であって、 GaNベースの層(4)を、基板ボディ(1)と介在層(2)とを有する張り合せ基板上に被着し、この場合、基板ボディ(1)の熱膨張係数が、GaNベースの層(4)の熱膨張係数に近似しているか又はGaNベースの層(4)の熱膨張係数よりも大きく、かつGaNベースの層(4)を介在層(2)上に析出させることを特徴とする、GaNベースの半導体デバイスを製造する方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 C

Fターム (10件)：

5F041AA03 , 5F041AA40 , 5F041CA33 , 5F041CA35 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77 , 5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (27件)

半導体発光素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-051141 出願人：株式会社東芝
単結晶ウエハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-028171 出願人：株式会社イオン工学研究所
特開平1-135070

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