特許
J-GLOBAL ID：200903008267896018
半導体光増幅装置、半導体光増幅システム及び半導体光集積素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-159447
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311536
出願日： 2007年06月15日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：
【課題】利得ピーク波長を例えば1.55μm帯の中心付近に保持しながら、その長波長側のみならず短波長側をも包含する広い波長領域で平坦な利得スペクトル及び低い雑音指数を実現し、且つ波長間利得差を小さく抑える高信頼性のSOAを得る。【解決手段】半導体基板としてInP基板11を用い、活性層14として、GaInAsを材料としてなる伸張歪が印加されたバリア層14aと、GaInNAsを材料としてなる無歪の井戸層14bとが交互に複数層、ここでは井戸層14bが4層、バリア層14aが5層積層されたMQW構造を適用してなる偏波無依存型のSOAを提示する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に設けられた活性層と
を含み、
前記活性層の光入射端面及び光出射端面における反射による光の共振を抑制して、前記光入射端面から入射した入射信号光を増幅して前記光出射端面から出射信号光として出射し、前記出射信号光が受ける利得が前記入射信号光の偏波状態に依らずに一定とされた半導体光増幅装置であって、
前記半導体基板は、InPを材料としてなるとともに、
前記活性層は、伸張歪が印加されたGaInAsを材料としてなるバリア層と、GaInNAsを材料としてなる井戸層とが交互に1層又は複数層積層された多重量子井戸構造とされてなることを特徴とする半導体光増幅装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
5F173AA23
, 5F173AA47
, 5F173AA48
, 5F173AB62
, 5F173AB79
, 5F173AF04
, 5F173AG12
, 5F173AH04
, 5F173AH49
, 5F173AL03
, 5F173AL13
, 5F173AP05
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR69
, 5F173AR99
, 5F173AS01
審査官引用 (7件)
-
半導体光素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願平5-271330
出願人：キヤノン株式会社
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ゲート型光スイッチ
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-233580
出願人：日本電信電話株式会社
-
光波長変換装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平9-154476
出願人：キヤノン株式会社
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