特許

J-GLOBAL ID：200903008350012458

カーボンナノチューブ薄膜形成装置及び形成方法

発明者： 阿川 義昭 ,  山川 洋幸 ,  村上 裕彦 ,  平川 正明 ,  田中 千晶 ,  山本 佳宏
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242086
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064775
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 手間がかからず、カーボンナノチューブの生産能力が高く、電力の消費量が低く、コストの安いカーボンナノチューブ薄膜形成装置及び形成方法の提供。【解決手段】 マイクロ波を用いた気相反応によりカーボンナノチューブ薄膜を形成するための装置及び方法であって、マイクロ波の発振出力を半波整流又は短形波の出力のような時間的に変調させたものとし、この発振出力がプラズマ中に供給されるようにする。

請求項（抜粋）：

真空成膜室と、該成膜室内に炭素含有ガスを供給するためのガス供給系と、該成膜室内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生系と、バイアス電源とを有する、マイクロ波電力供給可能な薄膜形成装置であって、該マイクロ波発生系によるマイクロ波の発振出力が時間的に変調された半波整流又は矩形波のような出力になるように構成されていることを特徴とするカーボンナノチューブ薄膜形成装置。

IPC (2件)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101

FI (2件)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 F

Fターム (13件)：

4G046CA02 ,  4G046CB01 ,  4G046CC06 ,  4K030AA10 ,  4K030BA27 ,  4K030BB11 ,  4K030EA01 ,  4K030FA01 ,  4K030JA16 ,  4K030KA20 ,  4K030KA30 ,  4K030KA41 ,  4K030LA18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• カーボンナノチューブの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-161292   出願人：キヤノン株式会社
• ラジカルの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205690   出願人：名古屋大学長
• プラズマ処理装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-087615   出願人：東京エレクトロン株式会社, 後藤俊夫, 東京エレクトロン山梨株式会社