特許

J-GLOBAL ID：200903058313690451

プラズマ処理装置および方法

発明者： 後藤 俊夫 ,  堀 勝 ,  畑 次郎 ,  輿水 地塩
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  後藤 俊夫 ,  東京エレクトロン山梨株式会社
代理人 (2件)： 亀谷 美明 (外1名) ,  亀谷 美明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-087615
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199485
出願日： 1996年03月15日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 反応性プラズマ中のラジカルを高精度かつ高速に制御する。【解決手段】 本発明によれば、パルス発生装置(5、16)によりパルス変調可能な高周波電界を出力するプラズマ源(4、15)により励起された反応性プラズマにより被処理体(W)を処理するにあたり、反応性プラズマ中の粒子密度および/または組成を赤外吸収分光装置(20)により計測し、計測された粒子密度や組成に応じて、高周波電界をパルス変調して、粒子密度や組成を所定値に制御するので、高精度かつ高速な制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

プラズマ生成室においてパルス変調可能な高周波電界により励起された反応性プラズマをプラズマ処理室に導入しそこで被処理体を処理するにあたり、前記プラズマ生成室および/またはプラズマ処理室内に存在するプラズマ中の粒子密度および/または組成を赤外吸収分光法により計測し、計測された粒子密度および/または組成に応じて、前記高周波電界をパルス変調して、前記粒子密度および/または組成を所定値に制御することを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  G01N 21/35 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52

FI (9件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 D ,  G01N 21/35 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭63-020484
  
• 特開平1-149965
  
• ラジカルの制御方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-241487   出願人：名古屋大学長
• プラズマエッチング装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-284206   出願人：東京エレクトロン株式会社
• ラジカルの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205690   出願人：名古屋大学長