特許
J-GLOBAL ID:200903008358184347

極紫外線中で操作する機械的安定性を強化した光学デバイスおよびその様なデバイスを含んでなる平版マスク

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-098537
公開番号(公開出願番号):特開2004-334177
出願日: 2004年03月30日
公開日(公表日): 2004年11月25日
要約:
【課題】 極紫外線中で操作する機械的安定性を強化した光学デバイスおよびその様なデバイスを含んでなる平版マスクの提供。【解決手段】 10nm〜20nmの範囲の波長を反射する光学デバイスは、交互に重なり合った第一および第二の層を含んでなる。第一層は金属または金属化合物から製造され、第二層は、a-Si-Hx、a-Si-CHx、a-Si-Cx、a-Si-OHx、a-Si-Fx、a-Si-FHx、a-Si-Nx、およびa-Si-NHxから選択された無定形ケイ素化合物から形成され、xは0.01〜0.3である。無定形ケイ素の第二層を使用することにより、光学デバイスの機械的応力を少なくとも200°Cまで安定化させることができる。本光学デバイスは、好ましくは極紫外線(EUV)中における平版マスク用のリフレクターとして使用する。【選択図】 図4
請求項(抜粋):
交互に重なり合った第一および第二の層を含んでなり、前記第一層が金属または金属化合物から製造され、前記第二層が無定形ケイ素を含んでなり、10nm〜20nmの範囲の波長を反射する光学デバイスであって、前記第二層が、a-Si-Hx、a-Si-CHx、a-Si-Cx、a-Si-OHx、a-Si-Fx、a-Si-FHx、a-Si-Nx、およびa-Si-NHxから選択された無定形ケイ素化合物から形成され、xが0.01〜0.3である、光学デバイス。
IPC (4件):
G02B5/26 ,  G03F1/16 ,  G21K1/06 ,  H01L21/027
FI (4件):
G02B5/26 ,  G03F1/16 A ,  G21K1/06 C ,  H01L21/30 531M
Fターム (8件):
2H048FA05 ,  2H048FA07 ,  2H048FA18 ,  2H048FA24 ,  2H095BA10 ,  2H095BC11 ,  5F046GB01 ,  5F046GD10
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • WO99/42414号パンフレット
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る