特許
J-GLOBAL ID：200903008382208362
SOI基板の製造方法及びSOI基板
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-122573
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277702
出願日： 2007年05月07日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】 貼り合わせ法によって、埋め込み酸化膜の厚さが3μm以上のように厚いSOI基板を製造する場合において、スリップ転位の発生を抑制して高品質のSOI層を有するSOI基板を得ることができるSOI基板の製造方法等を提供する。【解決手段】 ともに単結晶シリコンウェーハからなる、ボンドウェーハとベースウェーハとを準備する工程と、貼り合わせ後の埋め込み酸化膜の厚さが3μm以上になるように、ボンドウェーハとベースウェーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成する工程と、ボンドウェーハとベースウェーハとを酸化膜を介して貼り合わせる工程と、貼り合わせた基板に400°C以上1000°C以下の低温熱処理を行う工程と、ボンドウェーハを薄膜化してSOI層とする工程と、1000°Cよりも高い温度で高温熱処理を行って、貼り合わせ強度を高める工程とを含むSOI基板の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
貼り合わせ法により、埋め込み酸化膜上にSOI層が形成されたSOI基板を製造する方法であって、少なくとも、
ともに単結晶シリコンウェーハからなる、ボンドウェーハとベースウェーハとを準備する工程と、
貼り合わせ後の埋め込み酸化膜の厚さが3μm以上になるように、前記ボンドウェーハとベースウェーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成する工程と、
前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを前記酸化膜を介して貼り合わせる工程と、
前記ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせた基板に400°C以上1000°C以下の低温熱処理を行う工程と、
前記ボンドウェーハを薄膜化してSOI層とする工程と、
1000°Cよりも高い温度で高温熱処理を行って、貼り合わせ強度を高める工程と
を含むことを特徴とするSOI基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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