特許
J-GLOBAL ID：200903020739812492

酸化膜付きシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板

発明者：
窪田 巌

窪田 巌 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-348047
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156858
出願日： 2004年12月01日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】膜厚が5μm以上であり、表面上に付着しているパーティクルの数が極めて少ない高品質の酸化膜を持ったシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板を提供する。【解決手段】水蒸気を含む雰囲気下においてシリコン基板を熱処理して膜厚が5μmを超える所定膜厚の酸化膜を表面に形成し、該酸化膜付きシリコン基板の表面を少なくともHF溶液を含む溶液を用いて酸化膜の膜厚が5μm以上残存するようにエッチング処理を行い、その後、洗浄を行う酸化膜付きシリコン基板の製造方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
膜厚が5μm以上の酸化膜を有する酸化膜付きシリコン基板の製造方法であって、水蒸気を含む雰囲気下においてシリコン基板を熱処理して膜厚が5μmを超える所定膜厚の酸化膜を表面に形成し、該酸化膜付きシリコン基板の表面を少なくともHF溶液を含む溶液を用いて酸化膜の膜厚が5μm以上残存するようにエッチング処理を行い、その後、洗浄を行うことを特徴とする酸化膜付きシリコン基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  G02B 6/13
FI (3件)：
H01L21/02 B ,  H01L27/12 B ,  G02B6/12 M
Fターム (12件)：
2H047PA01 ,  2H047PA24 ,  2H047QA02 ,  2H047QA04 ,  2H047TA43 ,  5F058BA10 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF58 ,  5F058BF63 ,  5F058BJ01
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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