特許

J-GLOBAL ID：200903008408103513

半導体発光素子

発明者： 八百 隆文 ,  内山 洋充 ,  岩立 孝治
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  八百 隆文
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-012254
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217456
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】ZnSe系化合物半導体などのII-VI族化合物半導体を利用した新規な白色発光素子を提供する。【解決手段】基板1上において、第1のバッファ層2を介し、II-VI族化合物半導体からなる、黄色発光素子としての第1のエピタキシャル層群3を形成し、この第1のエピタキシャル層群3の上方において、第2のバッファ層4を介し、II-VI族化合物半導体からなる、青色発光素子としての第2のエピタキシャル層群5を形成する。

請求項（抜粋）：

所定の基板上において、黄色発光のII-VI族化合物半導体から構成される第1のエピタキシャル層群と、青色発光のII-VI族化合物半導体から構成される第2のエピタキシャル層群とを具え、全体として白色光を発することを特徴とする、半導体発光素子。

FI (2件)：

H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 D

Fターム (4件)：

5F041AA03 ,  5F041AA12 ,  5F041CA41 ,  5F041CB28

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 白色発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-286987   出願人：財団法人工業技術研究院
• 半導体レーザ装置、画像表示装置、及び光伝送システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181856   出願人：株式会社日立製作所
• 3族窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-188370   出願人：豊田合成株式会社