白色発光ダイオード及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木弘男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286987
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135838
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】単体で白色光を発光することができる白色発光ダイオードおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】エピタキシャル成長によってpn接合ダイオードを形成させる際の温度、圧力、アンモニア(NH3 )流量、キャリアガス(水素と窒素)の成分比を調整し、あるいはマグネシウム、珪素等の不純物を加えることによって特定のパラメータの範囲内でpn接合ダイオード接合面の発光スペクトルが波長ピークを2つ発するようにするものである。そのほか、pn接合ダイオードの構造内に量子井戸構造を成長させ、同様にエピタキシャル成長を行う際のパラメータを調整することにより、量子井戸構造の発光スペクトルに複数の異なる波長ピークを発生させ、2つ又は3つの波長ピークを混合して白色光を合成することもできる。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成され、上部が第1ゾーンと第2ゾーンとに区分された第1のn型半導体材料層と、該第1のn型半導体材料層上に形成された第2のn型半導体材料層と、該第2のn型半導体材料層上に形成されたp型半導体材料と、該p型半導体材料上に形成され、且つ該p型半導体材料を完全には覆わない第1の電極と、該第1のn型半導体材料の第2ゾーン上に形成され、且つ該第2ゾーンを完全には覆わない第2の電極とからなり、前記第1の電極と第2の電極に電流を流したとき、前記第2のn型半導体材料層とp型半導体材料の界面から発せられるスペクトルが2種類の波長ピークを有し、それにより白色光を合成できることを特徴とする白色発光ダイオード。

引用特許：

審査官引用 (6件)

白色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-037700 出願人：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327762 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平3-046280

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