特許
J-GLOBAL ID：200903008421577230
導波路型電気光学素子の長期使用後の印加電圧算出方法及びその応用方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 敬 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-328036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-147410
出願日： 1999年11月18日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：
【要約】【課題】 導波路型電気光学素子の長期使用後の印加電圧を予じめ算出する方法、この方法を利用して、長期ドリフト性が安定している素子を選別する方法の提供。【解決手段】 温度Tにおいて、素子に初期dcバイアス電圧Voを印加し、素子の光出力を初期状態に保持するための電圧を、経過時間との関係で記録し、時刻tにおける印加電圧V(t)とVoとの比A(t)=V(t)/Voを複数の時刻について算出し、tとA(t)との関係式を作成し、所望時刻t1 における比A(t)を前記関係式から算出し、Vo×A(t1 )の値をもって、時刻t1 において、素子に印加すべき電圧V(t1 )値とする。この方法を利用して、A(t)=Vt/Voの値を複数の時刻について算出する操作を2回以上繰り返えし、その値がすべて3以下のとき、この素子を、長期ドリフト性が安定している素子として選別する。
請求項（抜粋）：
導波路型電気光学素子の長期使用後の印加電圧を算出するために、(A)供試導波路型電気光学素子を室温よりも高い温度Tに保持し、(B)前記光学素子から光を出力している状態において、この光学素子にゼロではない初期直流バイアス電圧Voを印加し、(C)前記初期直流バイアス電圧Voの印加による前記光学素子の出力光の変化をモニターし、(D)前記光学素子の出力光の状態を、前記初期バイアス電圧Voが印加されたときの初期状態に等しく保持するために前記光学素子に印加すべき直流電圧を経過時間との関係において記録し、(E)時刻tにおいて前記光学素子に印加された直流電圧V(t)と、前記初期バイアス電圧Voとの比A(t)=V(t)/Voを複数の時刻について算出し、(F)さらに、時刻tと比A(t)との関係式を作成し、(G)所望時刻t1 における比A(t1 )を前記t-A(t)関係式から算出しておき、(H)前記光学素子又はそれと同一ロットの光学素子に、光出力状態において、かつ温度Tにおいて初期バイアス電圧Voを印加したとき、時刻t1 において、前記光学素子の光出力状態を初期光出力状態に等しく保持するために前記光学素子に印加すべき直流電圧V(t1 )を、前記初期バイアス電圧Voに前記比A(t1 )を乗じて算出された電圧値Vo×A(t1 )に等しい値に定める、ことを特徴とする導波路型電気光学素子の長期使用後の印加電圧算出方法。
IPC (2件)：
G02F 1/03 502
, G02F 1/035
G02F 1/03 502
, G02F 1/035
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA01
, 2H079BA03
, 2H079DA03
, 2H079EA03
, 2H079HA23
