特許

J-GLOBAL ID：200903008437372558

フッ素含有ガス除去装置およびフッ素含有ガス除去方法

発明者： 松 井 功
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-279754
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】 フッ素含有ガスを簡易かつ効率的に除去する。【解決手段】 本発明のフッ素含有ガス除去装置2は、フッ素含有ガスをプラズマにより分解させるプラズマ発生容器11と、半導体製造装置1からの排気ガスをプラズマ発生容器11内に導く原料ガス供給口12と、プラズマ発生容器11内でプラズマを発生させるプラズマ発生用コイル13と、プラズマ発生容器11内で発生した粒子を捕集する粒子捕集装置14とを有する。半導体製造装置1内で発生されたフッ素含有ガスに対して、プラズマ発生容器11内でプラズマ反応を起こさせ、分子量の大きい粒子を生成するため、温暖化の原因となるフッ素含有ガスを効率よく除去できる。

請求項（抜粋）：

反応室に供給されたフッ素含有ガスを分解する分解手段と、分解されたガス分子を凝集させて、固体化されたフッ素含有分子を含むフッ素含有粒子を生成する粒子生成手段と、生成された前記フッ素含有粒子を捕集する捕集手段と、を備えることを特徴とするフッ素含有ガス除去装置。

IPC (3件)：

B01D 53/70 ,  B01D 53/32 ZAB ,  B01D 53/68

FI (3件)：

B01D 53/34 134 E ,  B01D 53/32 ZAB ,  B01D 53/34 134 C

Fターム (13件)：

4D002AA22 ,  4D002BA07 ,  4D002BA14 ,  4D002BA20 ,  4D002CA20 ,  4D002DA70 ,  4D002EA13 ,  4D002EA20 ,  4D002GA02 ,  4D002GA03 ,  4D002GB03 ,  4D002GB04 ,  4D002HA04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 排ガス処理方法および処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-176536   出願人：井上賢二, 株式会社スガイ
• ガス状汚染物質の除去方法及び除去装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-093316   出願人：富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社, 株式会社トーヨコ理研, 株式会社トーヨコグループ技術研究所
• 六フッ化ウラン及び酸化性ガスを含む排ガスの処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-235675   出願人：三菱マテリアル株式会社