特許
J-GLOBAL ID：200903008485820007

半導体装置、半導体装置の実装構造、液晶装置、および電子機器

発明者：
内山 憲治

内山 憲治 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-060459
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260798
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 バンプ電極の構造を改良することにより、バンプ電極を狭いピッチで形成した場合でも、電気的特性や信頼性を低下させることなく、バンプ電極と電極端子とを異方性導電膜を介して電気的接続することのできるIC、その実装構造、液晶装置および電子機器を提供すること。【解決手段】 駆動用IC13のバンプ電極130は根元部分132が細いので、バンプ電極130の間で根元部分132同士は広い隙間を隔てている。従って、バンプ電極130の間に多数の導電粒子60が溜まってバンプ電極130同士が短絡するということがない。また、第2の透明基板2の電極端子16とバンプ電極130とが対向する面積が広いため、バンプ電極130と電極端子16の間に多数の導電粒子60が介在することになるので、バンプ電極130と電極端子16とは、良好に電気的接続する。
請求項（抜粋）：
導電粒子を含む異方性導電膜を介しての圧着により基板側の電極端子に電気的接続されるフェイスダウンボンディング用の複数のバンプ電極を備える半導体装置において、前記バンプ電極は、前記基板の電極端子に対向する当該バンプ電極の表面側に比較して根元部分の方が細くなっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  G02F 1/1345
FI (3件)：
H01L 21/92 602 G ,  H01L 21/60 311 S ,  G02F 1/1345
Fターム (18件)：
2H092GA48 ,  2H092GA49 ,  2H092GA51 ,  2H092GA55 ,  2H092GA60 ,  2H092HA25 ,  2H092MA32 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA15 ,  2H092NA16 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092NA29 ,  5F044KK01 ,  5F044LL09 ,  5F044QQ02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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