半導体装置、その製造方法及び実装構造

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：遠藤恭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-203824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031698
出願日： 1997年07月14日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：

【要約】【課題】導電バンプ表面のディンプルの平面的サイズ及び深さをできるだけ小さくし、導電バンプ上の導通に寄与する導電粒子数を増やし、半導体装置の実装信頼性を向上させる。【解決手段】本発明は、液晶表示装置に用いられる液晶ガラスパネル上にCOG実装する半導体装置に適用して好適なるものである。本発明において主面を絶縁層3で覆われた半導体チップ1は、その電極パッド2上に金属を成長させてなる導電性バンプ4を備える。導電性バンプ4は、上記電極パッド2に対し該電極パッド上に形成された絶縁層の開口3aを介して電気的に接続される。本発明において上記開口3aの面積は、上記導電性バンプ4の電極8に対向する面の面積の1/9以下である。導電性バンプの上面には、絶縁層3の段によるディンプル4aが発生するが、少なくともそのサイズは導電性バンプの面積の1/9以下であり、その深さも従来構造に比して減少する。

請求項（抜粋）：

半導体チップと、上記半導体チップの主面に形成された複数の電極パッドと、上記半導体チップの主面を覆う絶縁層と、基板上の電極に対し異方性導電膜を介して上記電極パッドを電気的に接続するための上記各電極パッド上に形成された導電性バンプと、上記電極パッドと上記導電性バンプとを電気的に接続するための上記絶縁層における上記電極パッド上の領域に形成された開口であって、その開口面積が上記導電性バンプの上記電極に対向する面の面積の1/9以下であるものと、を備えた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/321 , G02F 1/1345 , H01L 21/60 311

FI (5件)：

H01L 21/92 604 S , G02F 1/1345 , H01L 21/60 311 S , H01L 21/92 602 R , H01L 21/92 602 K

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-063628 出願人：シチズン時計株式会社
特開平4-032171
半導体装置のパッド構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-339590 出願人：日本電気株式会社

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