特許
J-GLOBAL ID：200903070077928859
不揮発性メモリのデータ化け防止回路およびその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-249318
公開番号（公開出願番号）：特開2001-076496
出願日： 1999年09月02日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 電気的書換え可能な不揮発性メモリにおける書込・消去状態を確実に保持し、データ化けを未然に防止すること。【解決手段】 参照電流Iref1〜Iref3を出力する参照電流セル3a〜3cと、メモリセルからの電流Icellと各参照電流Iref1〜Iref3とを比較するセンスアンプSA1〜SA3と、メモリセルに対するデータの読出、書込および消去の処理を行う読出・書込・消去回路4と、データ読出時に電流Icellが参照電流Iref1を超えたか否かを判定し、この判定結果によって、それぞれ対応するデータを出力し、さらに電流Icellが参照電流Iref2を超え、あるいは参照電流Iref3を超えない場合に電流Icellに対応するメモリセルに対する再消去あるいは再書込の処理を読出・書込・消去回路に行わせる制御回路と、を備える。
請求項（抜粋）：
電気的書換え可能な不揮発性メモリの各セルから読み出されたセル電流の電流値に基づいて該セルのデータ判定を行うための参照電流値である第一の参照電流と該第一の参照電流の電流値に比して大きい電流値をもつ第二の参照電流と該第一の参照電流の電流値に比して小さい電流値をもつ第三の参照電流とを生成する生成回路と、前記セル電流と複数の前記第一から第三の参照電流とをそれぞれ比較する比較回路と、前記各セルに記憶されたデータの書込または消去を行う書込・消去回路と、データ読出時に前記セル電流が前記第一の参照電流を超えたか否かを前記比較回路の比較結果をもとに判定し、この判定結果によって、それぞれ対応するデータを出力し、さらに前記第二の参照電流を超え、あるいは前記第三の参照電流を超えない条件を満たす場合に該セル電流に対応するセルに対する再消去あるいは再書込の処理を前記書込・消去回路に行わせる制御回路と、を備えたことを特徴とする不揮発性メモリのデータ化け防止回路。
Fターム (8件)：
5B025AA03
, 5B025AB01
, 5B025AC01
, 5B025AD04
, 5B025AD07
, 5B025AD08
, 5B025AD16
, 5B025AE08
