特許
J-GLOBAL ID：200903008494775600

半導体装置

発明者：
奈須 真吾

奈須 真吾 について

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岩▲崎▼ 富生

岩▲崎▼ 富生 について

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太田 裕之

太田 裕之 について

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熊谷 幸博

熊谷 幸博 について

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池田 修二

池田 修二 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について

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トレセンティテクノロジーズ株式会社

トレセンティテクノロジーズ株式会社 について


代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132458
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335904
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】半導体装置において、しきい値などの特性変化を抑えた信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板上にゲート絶縁膜を備え、前記ゲート絶縁膜上にシリコンゲルマニウムを主構成材料とするゲート電極膜を備えた半導体装置またはゲート絶縁膜の下にシリコンを主構成材料とするチャネルを備え、前記チャネルの下にシリコンゲルマニウムを主構成材料とするチャネル下地膜を備える半導体装置において、前記ゲート電極中または前記チャネル下地膜中のゲルマニウムの拡散を抑制する手段として、コバルトまたは炭素または窒素を前記ゲート電極および前記チャネル下地膜に添加する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備え、 前記ゲート電極がゲルマニウムと前記ゲルマニウムより少量のコバルトとを含有することを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/732 ,  H01L29/737 ,  H01L29/786
FI (10件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/72 S ,  H01L29/58 G ,  H01L29/72 H
Fターム (92件)：
4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB20 ,  4M104BB36 ,  4M104BB39 ,  4M104CC05 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F003AZ03 ,  5F003BB01 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BZ02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE12 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE31 ,  5F110EE36 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG19 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AC28 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA05 ,  5F140BB13 ,  5F140BB16 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF14 ,  5F140BF18 ,  5F140BF21 ,  5F140BF28 ,  5F140BF37 ,  5F140BF38 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG27 ,  5F140BG28 ,  5F140BG30 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140CB04 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC07 ,  5F140CC11 ,  5F140CC12 ,  5F140CC15 ,  5F140DB01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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