特許
J-GLOBAL ID：200903035467534410
多結晶半導体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西教 圭一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-228401
公開番号（公開出願番号）：特開平9-071497
出願日： 1995年09月05日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：
【要約】【課題】 大きな結晶粒を持つ多結晶半導体を製造する方法を提供する。【解決手段】 るつぼ9の錐台状部22の底に種結晶24を配置し、半導体材料を装入する。加熱炉4によってるつぼ9を加熱し半導体材料のみを融解させる。るつぼ9は、台座13によって冷却されるが、中心部15に対して、周辺部16は熱絶縁体11を介してるつぼ9に接しているので、冷却温度の伝わり方が低い。凝固開始時には、固化界面が上に凸となるように中心部15と周辺部16とに供給される水量を制御する。固化界面の成長ともに周辺部16に供給する水量を増加させ、固化界面が境界25に達したときに平面状とし、以後は、水量を変更させることなく凝固を進行させる。
請求項（抜粋）：
半導体に対して不活性な雰囲気下で、筒状である筒状部と、筒状部の一方の開口端に接続され、先端になるにつれ先細となる錐台状部とを有するるつぼの錐台状部の底部に種結晶を配置し、るつぼ内に半導体材料を装入して加熱手段によって加熱融解し、るつぼ底部から熱を奪いながら底部の下面温度を半導体材料の融点以下に保つことによって実質的に種結晶を融解させることなく半導体材料のみを融解した後、るつぼを冷却し融解した半導体材料を凝固させ種結晶から多結晶を成長させる多結晶半導体の製造方法において、るつぼは、るつぼを載置したときに錐台状部の底部下面に対応する中心部と、中心部以外の部分である周辺部とによって構成される台座によって支持され、かつ当該台座によって底部から熱を奪われ、半導体材料を凝固させる際には、台座の中心部と周辺部とを同一の冷却温度に保ちながらるつぼの冷却を開始し、周辺部の冷却温度を中心部の冷却温度に対して制御し、融解状態の半導体材料と凝固した半導体材料との境界面である固化界面が、筒状部と錐台状部との境目の部分である境界部近傍に達したときには、周辺部の冷却温度を固化界面が平面状となる予め定められる冷却温度として、以後は固化界面を平面状に保って半導体材料を凝固させることを特徴とする多結晶半導体の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 28/06
, C30B 29/06 501
, H01L 31/04
, H01L 21/208
C30B 28/06
, C30B 29/06 501 Z
, H01L 21/208 Z
, H01L 31/04 A
