特許
J-GLOBAL ID:200903008537628738

細孔を有する構造体、細孔を有する構造体の製造方法並びに前記細孔を有する構造体を用いたデバイス

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 渡辺 徳廣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-266773
公開番号(公開出願番号):特開2001-162600
出願日: 2000年09月04日
公開日(公表日): 2001年06月19日
要約:
【要約】【課題】 ナノホール内部にのみ導電パスを形成し、その導電パスを利用して特定領域のナノホール内部にのみ内包物を形成した微小構造体を提供する。【解決手段】 a)基板13と、b)基板の表面に、互いに間隔を置いて配置された複数の導電層15と、c)複数の導電層と、複数の導電層間に位置する基板の表面とを覆う酸化アルミニウムを主成分とする層と、d)酸化アルミニウムを主成分とする層に配置された複数の細孔12とを有する構造体であって、複数の細孔12が複数の導電層15上および複数の導電層間に位置する基板の表面16上に、酸化アルミニウムを主成分とする層の一部を介して配置されており、導電層上に位置する細孔の底部と導電層との間に配置された酸化アルミニウムを主成分とする層の一部が導電層を構成する材料を含む。
請求項(抜粋):
(a)基板と、(b)前記基板の表面に互いに間隔を置いて配置された複数の導電層と、(c)前記複数の導電層と前記複数の導電層間に位置する前記基板の表面とを覆う酸化アルミニウムを主成分とする層と、(d)前記酸化アルミニウムを主成分とする層に配置された複数の細孔とを有する構造体であって、前記複数の細孔は、前記複数の導電層上および前記複数の導電層間に位置する前記基板の表面上に前記酸化アルミニウムを主成分とする層の一部を介して配置されており、かつ前記導電層上に位置する細孔の底部と前記導電層との間に配置された前記酸化アルミニウムを主成分とする層の一部は、前記導電層を構成する材料を含むことを特徴とする細孔を有する構造体。
IPC (5件):
B82B 1/00 ,  H01J 1/304 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12 ,  H01L 49/02
FI (5件):
B82B 1/00 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  H01L 49/02 ,  H01J 1/30 F
引用特許:
審査官引用 (7件)
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