特許
J-GLOBAL ID：200903008543590823

半導体装置及びその製造方法

発明者：
黒田 隆哉

黒田 隆哉 について

, 
栗田 洋一郎

栗田 洋一郎 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-270820
公開番号（公開出願番号）：特開2005-026630
出願日： 2003年07月03日
公開日（公表日）： 2005年01月27日
要約：
【課題】 接合強度にばらつきが少ないチップ・オン・チップ型の半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体チップ1の表面に設けられているチップ接続用電極パッド3上に平面視で長方形状をなすバンプ4を、半導体チップ2の表面に設けられているチップ接続用電極パッド3上に平面視で長方形状をなすバンプ5を形成する。そして、このバンプ4とバンプ5とが交差するように接合する。その後、半導体チップ1の外部端子接続用電極パッド7と配線基板8とをボンディングワイヤ9により結線して、半導体チップ1と外部端子と接続する。更に、半導体チップ1と半導体チップ2との間の隙間に樹脂6を充填した後、封止してチップ・オン・チップ型の半導体装置にする。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
第1の半導体チップの表面に設けられた電極パッド上に形成された第1のバンプと、第2の半導体チップの表面に設けられた電極パッド上に形成された第2のバンプとが接合されている半導体装置において、前記第1のバンプ及び前記第2のバンプは、平面視で長方形状をなし、前記第1のバンプと前記第2のバンプとが交差するように接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18
FI (1件)：
H01L25/08 B
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM