半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：稲岡耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184185
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015553
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の製造工程に要する時間を短縮でき、かつ、半導体チップの金属電極部と固体装置の金属電極部とを確実に接着することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】子チップ20のバンプ22を親チップ10のバンプ12に当接させて、子チップ20を親チップ10に向けて押圧しつつ、超音波ホーンHからバンプ12とバンプ22との接合面に所定エネルギーの超音波振動を与える。

請求項（抜粋）：

固体装置の表面に半導体チップの表面を対向させて接合することにより半導体装置を製造する方法であって、上記固体装置の表面に隆起して形成された金属電極部と上記半導体チップの表面に隆起して形成された金属電極部とを、直接に当接させて相互に圧し付ける工程と、相互に圧し付けられた金属電極部に超音波振動を付与する工程とを含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/607

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 21/607 B

Fターム (5件)：

5F044KK01 , 5F044KK18 , 5F044LL00 , 5F044PP15 , 5F044QQ03

引用特許：

審査官引用 (7件)

超音波ボンディング用コレットおよびボンディング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-301465 出願人：日本電気株式会社
特開平2-206125
半導体素子、半導体装置、および半導体装置の検査方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-165783 出願人：株式会社東芝

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