特許
J-GLOBAL ID：200903008575863813

半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法

発明者：
高倉 信之

高倉 信之 について


出願人/特許権者：
松下電工株式会社

松下電工株式会社 について


代理人 (3件)： 小谷 悦司 ,  伊藤 孝夫 ,  樋口 次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-276200
公開番号（公開出願番号）：特開2007-088269
出願日： 2005年09月22日
公開日（公表日）： 2007年04月05日
要約：
【課題】 基板上に少なくともn型窒化物半導体層、発光層(活性層)およびp型窒化物半導体層を順次積層して成る半導体発光素子において、発光効率を向上する。【解決手段】 発光層14の井戸層14a,14b,14cはAl0.02In0.18Ga0.80N層から成り、室温でのバンドギャップは2.7eVであり、障壁層14d,14e,14f,14gはAl0.3In0.12Ga0.58N層から成り、室温でのバンドギャップはGaN層13,16の3.4eVよりも高い3.5eVであり、エレクトロン・ブロッキング層15はAl0.4In0.1Ga0.5N層から成り、室温でのバンドギャップは3.8eVである。したがって、深い井戸を得ることができるとともに、エレクトロン・ブロッキング層15をAlGaNで作成する場合に比べて格段に低温で形成でき、発光層14と成膜温度を近付け、良好な膜質を得ることができ、更なる発光効率の向上を実現できる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型窒化物半導体層、発光層およびp型窒化物半導体層を順次積層して成る半導体発光素子において、 前記発光層とp型窒化物半導体層との間にエレクトロン・ブロッキング層を備え、 多重量子井戸構造から成る前記発光層の井戸層および障壁層ならびに前記エレクトロン・ブロッキング層がAlInGaNから成り、前記障壁層のバンドギャップはGaNのバンドギャップよりも大きく、かつ前記エレクトロン・ブロッキング層のバンドギャップは前記障壁層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (7件)：
5F041AA03 ,  5F041AA08 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041FF11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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