特許
J-GLOBAL ID:200903008581241778
基板処理方法及びその装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
杉谷 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-092375
公開番号(公開出願番号):特開2002-289575
出願日: 2001年03月28日
公開日(公表日): 2002年10月04日
要約:
【要約】【課題】 トレンチ等に溶剤が入り込みやすくなるように親水化した上で溶剤による置換を行なうことにより、ウォーターマークや乾燥シミのような汚染を防止できる。【解決手段】 基板を処理液で処理した後、付着している処理液を溶剤で置換してから乾燥を行う基板処理方法において、基板に付着している処理液を溶剤で置換するステップS7の前に、その基板に対して親水化処理を施す(ステップS4)。基板を親水性に改質でき、溶剤がトレンチなどの奥にも容易に入り込み置換が完全に行われる。したがって、ウォーターマークや乾燥しみが生じることを防止できる。
請求項(抜粋):
基板を処理液で処理した後、基板に溶剤を供給して基板に付着している処理液を溶剤で置換してから乾燥を行なう基板処理方法において、基板に付着している処理液を溶剤で置換する前に、その基板に対して親水化処理を施すことを特徴とする基板処理方法。
IPC (5件):
H01L 21/304 651
, H01L 21/304 648
, B08B 3/04
, H01L 21/027
, H01L 21/306
FI (5件):
H01L 21/304 651 J
, H01L 21/304 648 K
, B08B 3/04 Z
, H01L 21/30 563
, H01L 21/306 A
Fターム (14件):
3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201AB08
, 3B201BB02
, 3B201BB93
, 3B201BB95
, 3B201CA00
, 3B201CC11
, 3B201CC15
, 3B201CD22
, 5F043DD12
, 5F043DD30
, 5F043FF01
, 5F046HA03
引用特許:
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