特許
J-GLOBAL ID：200903052988593007

半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置

発明者：
真名子 和義

真名子 和義 について


出願人/特許権者：
住友金属工業株式会社

住友金属工業株式会社 について


代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208299
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040682
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板の製造プロセスに関し、同一処理槽内で、ウエーハ表面の不純物を効果的に除去する一連の処理を行い、かつ、容易に処理液のリサイクル使用を可能とする半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置を提供する。【課題解決手段】 半導体基板の製造プロセスにおける半導体基板の洗浄方法及び洗浄装置において、同一槽内で、一連の洗浄処理を行うものであって、被洗浄物である半導体基板を第1の処理液に浸漬させ、前記第1の処理液に任意ガスを溶解して第2又は第3の処理液とし、各処理工程後の半導体基板を他槽へ搬送することなく、各洗浄処理工程を行うことの可能な、洗浄方法及び洗浄装置である。
請求項（抜粋）：
半導体基板の製造プロセスにおける半導体基板の洗浄方法において、同一槽内で、一連の洗浄処理を行うものであって、被洗浄物である半導体基板を、処理槽に導入した第1の処理液に浸漬させる工程と、前記基板を第1の処理液に浸漬させたまま、酸化性ガスを前記処理液に任意の溶解度となるように溶解する工程と、前記酸化性ガスが溶解された第2の処理液で、前記半導体基板を洗浄する工程と、前記第2の処理液に、不活性ガス等の溶媒と反応しないガスを導入して、前記第2の処理液に溶存している酸化性ガスの一部又は全部を脱気させる工程と、前記溶存酸化性ガスが脱気された第3の処理液で、再び、前記半導体基板を洗浄する工程とを備えたことを特徴とする半導体基板の洗浄方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 642 ,  H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 651 ,  H01L 21/306
FI (5件)：
H01L 21/304 642 A ,  H01L 21/304 648 G ,  H01L 21/304 651 H ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/306 J
Fターム (8件)：
5F043AA01 ,  5F043BB27 ,  5F043DD27 ,  5F043EE24 ,  5F043EE25 ,  5F043EE29 ,  5F043EE33 ,  5F043EE40
引用特許：
審査官引用 (5件)
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