半導体集積回路装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-094970
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283632
出願日： 1996年04月17日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】半導体チップの外周に配置されたボンディングパッドの狭ピッチ化を推進する。また、半導体チップに形成されるすべてのボンディングパッドの電流密度をほぼ同じにする。【解決手段】 2列のボンディングパッド4A、4Bを千鳥配列とし、内側のボンディングパッド4Aの引き出し配線5Aを第3層目配線であるボンディングパッド4Aと一体に形成する。また、外側のボンディングパッド4Bの引き出し配線5Bを第2層目の配線10Bと第1層目の配線9Bとで構成する。さらに、引き出し配線5Aの断面積と引き出し配線5Bの断面積を同じにすることにより、引き出し配線5Aの電流密度と引き出し配線5Bの電流密度をほぼ同じにする。

請求項（抜粋）：

半導体チップの外周部に沿ってボンディングパッドを複数列配置し、内側の列のボンディングパッドと外側の列のボンディングパッドとを千鳥状に配置した、3層以上の配線層を有する半導体集積回路装置であって、前記内側の列のボンディングパッドと内部回路とを電気的に接続する第1の引き出し配線を、少なくとも最上層の配線を含む1層または複数層の配線で構成し、前記外側の列のボンディングパッドと内部回路とを電気的に接続する第2の引き出し配線を、前記第1の引き出し配線とは別層の複数層の配線で構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 21/82 , H01L 27/118 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 P , H01L 21/82 M , H01L 27/04 E

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開平1-109759
特開平3-173433
高密度配線ディジタル装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-250898 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (9件)

特開平1-109759
特開平1-109759
特開平1-109759

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