特許
J-GLOBAL ID：200903008639248328

半導体装置およびその作製方法

発明者：
桑原 秀明

桑原 秀明 について

, 
大沼 英人

大沼 英人 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-281161
公開番号（公開出願番号）：特開2007-141821
出願日： 2006年10月16日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】高繊細化に伴う画素領域の微細化、大面積化に伴う基板の大型化によって、蒸着時に用いるマスクの精度とたわみなどによる不良が問題となっている。【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、工程を増やすことなく、表示領域における画素電極(第1の電極とも呼ぶ)上、及び画素電極層周辺に膜厚が異なる部分を有する隔壁を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に複数の発光素子を有する発光装置であり、 発光素子は、第1の電極と、該第1の電極の端部を覆う隔壁と、前記第1の電極上に有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層上に第2の電極とを有し、 前記隔壁は、発光素子上面から基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、隔壁の側面に段差を有していることを特徴とする発光装置。
IPC (5件)：
H05B 33/22 ,  H05B 33/12 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/04
FI (5件)：
H05B33/22 Z ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H05B33/04
Fターム (12件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC35 ,  3K107CC42 ,  3K107CC45 ,  3K107DD02 ,  3K107DD89 ,  3K107DD97 ,  3K107EE03 ,  3K107EE54 ,  3K107FF15 ,  3K107GG33
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM