特許
J-GLOBAL ID：200903014344025211

表示装置の製造方法および表示装置

発明者：
佐藤 千代子

佐藤 千代子 について

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花輪 幸治

花輪 幸治 について

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平野 貴之

平野 貴之 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-140799
公開番号（公開出願番号）：特開2005-322564
出願日： 2004年05月11日
公開日（公表日）： 2005年11月17日
要約：
【課題】各有機EL素子の非発光欠陥が低減可能であり、発光寿命も長く、生産性にも優れた表示装置の製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口Wと、絶縁膜16の一部を上方に突出してなるリブ16aとを備え、画素開口W内に、下部電極15と上部電極とで有機層18を挟持してなる素子が設けられた表示装置の製造方法および表示装置であって、基板上に各素子に対応する複数の下部電極15を形成する工程と、下部電極15を覆う状態で、基板上に絶縁膜16を形成する工程と、露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、絶縁膜16に下部電極15に達する画素開口Wを形成するとともに、画素開口W間の絶縁膜16の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、絶縁膜16の一部を上方に突出してなるリブ16aを形成する工程とを有する表示装置の製造方法および表示装置である。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上の絶縁膜に配列形成された複数の画素開口と、前記絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブとを備え、前記画素開口内に、下部電極と上部電極とで有機層を挟持してなる素子が設けられた表示装置の製造方法であって、 前記基板上に前記各素子に対応する複数の前記下部電極を形成する第1工程と、 前記下部電極を覆う状態で、前記基板上に前記絶縁膜を形成する第2工程と、 露光量を部分的に制御したパターン露光を行うリソグラフィ処理により、前記絶縁膜に前記下部電極に達する前記画素開口を形成するとともに、当該画素開口間の前記絶縁膜の上部を部分的に除去した段差形状とすることで、当該絶縁膜の一部を上方に突出してなるリブを形成する第3工程とを有する ことを特徴とする表示装置の製造方法。
IPC (4件)：
H05B33/10 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22
FI (4件)：
H05B33/10 ,  H05B33/12 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z
Fターム (5件)：
3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007FA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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