特許
J-GLOBAL ID：200903008662540184
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-159481
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354441
出願日： 1998年06月08日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない半導体薄膜(a-Si膜,p-Si膜)を形成して、TFT等の半導体装置の特性を向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板(ガラス基板1)上にアモルファスSi膜(2)を形成する工程と、上記アモルファスSi膜の上に、該アモルファスSi膜の全面を被覆するSiO2膜(C)を形成する工程と、上記SiO2膜の上からレーザーを照射して、上記アモルファスSi膜を多結晶Si膜(2’)に結晶化させる工程とを少なくとも有するようにした。
請求項（抜粋）：
基板上に半導体薄膜を有する半導体装置の製造方法であって、基板上にアモルファスSi膜を形成する工程と、上記アモルファスSi膜の上に、該アモルファスSi膜の全面を被覆するSiO2膜を形成する工程と、上記SiO2膜の上からレーザーを照射して、上記アモルファスSi膜を多結晶Si膜に結晶化させる工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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