特許
J-GLOBAL ID：200903008666611698

半導体ウエハおよびその処理方法ならびに半導体装置の製造方法

発明者：
森 克己

森 克己 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-009368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203262
出願日： 2000年01月18日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 チップ領域の最外領域で形成される、チップの歩留まりを高くすることができる、半導体ウエハおよびその処理方法ならびに半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエハの処理方法は、トレンチ素子分離領域を形成する工程(A)を含み、半導体ウエハは、チップ領域20と、非チップ領域22とを有し、工程(A)において、非チップ領域22の少なくとも一部において、ダミートレンチ素子分離領域40が形成される。半導体ウエハ10は、チップ領域20と非チップ領域22とを含み、非チップ領域22の少なくとも一部において、ダミートレンチ素子分離領域40が設けられている。半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの処理方法を含む。
請求項（抜粋）：
トレンチ素子分離領域を形成する工程(A)を含む、半導体ウエハの処理方法であって、前記半導体ウエハは、チップ領域と、非チップ領域とを有し、前記工程(A)において、前記非チップ領域の少なくとも一部において、ダミートレンチ素子分離領域が形成される、半導体ウエハの処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/76 ,  H01L 21/304 622
FI (2件)：
H01L 21/304 622 T ,  H01L 21/76 L
Fターム (10件)：
5F032AA35 ,  5F032AA69 ,  5F032AA77 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F032DA04 ,  5F032DA23 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53 ,  5F032DA78
引用特許：
審査官引用 (4件)
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