酸化物エピタキシャル薄膜およびその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-287944
公開番号（公開出願番号）：特開2005-053755
出願日： 2003年08月06日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】成膜条件を室温程度の低温と容易なものとし、成膜装置の構造を簡素化することのできる、酸化物エピタキシャル薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】100°C以下に保持した基板上に、ラジカル酸素を5x10E14〜5x10E15atomos/cm2/s照射しながら、パルスレーザ蒸着法(PLD法)により酸化物膜を基板上に成膜後、600°C〜750°Cの温度で、1〜10時間アニール処理することにより、酸化物エピタキシャル薄膜を作製する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

100°C以下に保持した基板上に、ラジカル酸素を照射しながら、パルスレーザー蒸着法により酸化物膜を蒸着する成膜工程と、酸化物膜を蒸着温度より高温で加熱するポストアニール工程とを有することを特徴とする酸化物エピタキシャル薄膜の作製方法。

IPC (6件)：

C30B29/22 , C23C14/28 , C23C14/58 , C30B23/08 , C30B29/24 , C30B33/02

FI (7件)：

C30B29/22 Z , C30B29/22 501L , C23C14/28 , C23C14/58 A , C30B23/08 Z , C30B29/24 , C30B33/02

Fターム (27件)：

4G077AA03 , 4G077BC03 , 4G077BC06 , 4G077BC11 , 4G077BC51 , 4G077DA03 , 4G077EA02 , 4G077FE03 , 4G077FE11 , 4G077HA03 , 4G077HA07 , 4G077HA08 , 4G077HA11 , 4G077SA04 , 4G077SB06 , 4K029BA50 , 4K029BB09 , 4K029BC00 , 4K029BC04 , 4K029BC06 , 4K029CA02 , 4K029DA04 , 4K029DB20 , 4K029EA03 , 4K029EA05 , 4K029EA08 , 4K029GA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

酸化物超格子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-034823 出願人：株式会社村田製作所
Si単結晶基板上でのCeO2 エピタキシャル単結晶薄膜の合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-186254 出願人：新技術事業団
特開平2-292876

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