薄膜積層体の製造方法および強誘電体薄膜素子の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-270352
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083811
出願日： 2000年09月06日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：

【要約】【課題】Si基板上に結晶性の良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を形成させうる機能を持つバッファ層を備える薄膜積層体および強誘電体薄膜素子を提供する。【解決手段】Si基板上にエピタキシャル成長させたTAN薄膜上にさらに結晶性の良好なTiO2薄膜をエピタキシャル成長させることにより、その上に良好なエピタキシャル強誘電体薄膜を成長させる。

請求項（抜粋）：

Si基板上にTi(1-x)AlxN薄膜をエピタキシャル形成する工程と、Ti(1-x)AlxN薄膜上にTiO2薄膜をエピタキシャル形成する工程と、TiO2薄膜上に強誘電体薄膜をエピタキシャル形成する工程とを有してなる薄膜積層体の製造方法であって、前記TiO2薄膜をエピタキシャル形成する工程は、薄膜形成技術によりTi(1-x)AlxN薄膜上にTiO2薄膜を直接形成すること、または、Ti(1-x)AlxN薄膜を酸化処理することによりTiO2薄膜を形成することを特徴とする薄膜積層体の製造方法。

IPC (10件)：

H01L 21/316 , C30B 29/16 , C30B 29/22 , C30B 29/38 , H01G 4/12 394 , H01G 4/12 397 , H01G 4/12 400 , H01L 21/203 , H01L 27/105 , H01G 4/33

FI (12件)：

H01L 21/316 X , H01L 21/316 M , H01L 21/316 Y , C30B 29/16 , C30B 29/22 Z , C30B 29/38 Z , H01G 4/12 394 , H01G 4/12 397 , H01G 4/12 400 , H01L 21/203 Z , H01L 27/10 444 C , H01G 4/06 102

Fターム (62件)：

4G077AA03 , 4G077BB04 , 4G077BC11 , 4G077BE11 , 4G077DA01 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA06 , 5E001AB06 , 5E001AD04 , 5E001AE00 , 5E001AE03 , 5E001AH03 , 5E001AH08 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5E001AZ00 , 5E082AB03 , 5E082BB10 , 5E082BC40 , 5E082DD11 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082FF15 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082KK01 , 5E082KK08 , 5E082LL01 , 5E082LL02 , 5E082MM05 , 5E082MM09 , 5E082MM23 , 5E082MM24 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BC04 , 5F058BC20 , 5F058BD01 , 5F058BD05 , 5F058BD06 , 5F058BF06 , 5F058BF13 , 5F058BF14 , 5F058BF22 , 5F058BF27 , 5F058BJ01 , 5F083JA02 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083JA40 , 5F083PR22 , 5F103AA08 , 5F103DD27 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH08 , 5F103LL14 , 5F103NN01 , 5F103RR05

引用特許：

審査官引用 (5件)

Si基板誘電体薄膜構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-195829 出願人：新技術事業団
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-001899 出願人：株式会社東芝
強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜素子の製造方法、並びに強誘電体薄膜構造及び強誘電体薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-261379 出願人：株式会社村田製作所, 金沢大学長

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