特許

J-GLOBAL ID：200903008751407030

還元性雰囲気下における絶縁膜の硬化

発明者： スコット ジェフリー ウェイゲル ,  マーク レオナルド オニール ,  レイモンド ニコラス バーティス ,  マリー キャサリン ハーズ ,  ユージン ジョセフ カルワッキ,ジュニア
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-169253
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010877
出願日： 2007年06月27日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】低誘電率の多孔質物質含有膜を提供すること。【解決手段】Si、C、O、H及びSi-CH3種を含み、かつ少なくとも1つの含Si構造形成物質と少なくとも1つの含C細孔形成物質とを含む複合膜を基板表面の少なくとも一部分に形成する工程; 該複合膜及び該複合膜を活性化学種に暴露して前記含C細孔形成物質を少なくとも部分的に改質し、その際、形成されたままの状態の皮膜中のSi-CH3種の少なくとも90%(FTIRにより測定)を暴露工程後も皮膜中に残す工程を含む多孔質絶縁膜形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

次の工程:

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (2件)：

H01L21/312 C ,  H01L21/90 S

Fターム (18件)：

5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033WW00 ,  5F033WW04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX33 ,  5F058AC03 ,  5F058AF01 ,  5F058AG01 ,  5F058AG07 ,  5F058AG09 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 有機シリカ多孔性膜製造のための化学気相成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-105545   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• UV照射による高密度及び多孔質有機ケイ酸塩材料の機械的強化
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-059560   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
• 基板から炭素含有残渣類を除去する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-214883   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド