特許
J-GLOBAL ID：200903008802045090
半導体ウェーハの分割方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 功 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-183607
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007649
出願日： 2001年06月18日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェーハの表面に裏面まで貫通しない切削溝を形成した後、裏面を研削及びエッチングして切削溝を表出させることにより個々の半導体チップに分割するいわゆる先ダイシングにおいて、エッチング処理剤によって回路面が損傷するのを防止する。【解決手段】 半導体ウェーハの表面に形成されたストリートに裏面まで貫通しない切削溝を形成するハーフカット工程11と、切削溝が形成された半導体ウェーハの表面を保護部材によって支持させた状態で裏面を研削する研削工程12と、研削により裏面に生じた研削歪み層をエッチング処理剤によってエッチング除去するエッチング工程13とを少なくとも含み、研削工程12において、半導体ウェーハが個々の半導体チップに分割される前に裏面の研削を終了して5μm〜50μm程度の厚さの研削残り層を形成し、エッチング工程においてその研削残り層をエッチング除去して個々の半導体チップに分割する。
請求項（抜粋）：
複数の半導体回路がストリートによって区画されて形成された半導体ウェーハを該半導体回路ごとに個々の半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法であって、半導体ウェーハの表面に形成されたストリートに裏面まで貫通しない切削溝を形成するハーフカット工程と、該切削溝が形成された半導体ウェーハの表面を保護部材によって支持させた状態で裏面を研削する研削工程と、該研削により該裏面に生じた研削歪み層をトリートメント処理によって除去するトリートメント工程とを少なくとも含み、該研削工程においては、該切削溝が表出して該半導体ウェーハが個々の半導体チップに分割される前に裏面の研削を終了して研削残り層を形成し、該トリートメント工程において、該研削残り層を除去して個々の半導体チップに分割する半導体ウェーハの分割方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B24B 7/20
, H01L 21/306
B24B 7/20
, H01L 21/78 S
, H01L 21/306 C
3C043BA09
, 3C043CC02
, 5F043AA01
, 5F043DD30
, 5F043GG01
