特許
J-GLOBAL ID：200903039595149133

ウェーハ分割方法およびウェーハ分割装置

発明者：
小林 一雄

小林 一雄 について


出願人/特許権者：
株式会社東京精密

株式会社東京精密 について


代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-124955
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319554
出願日： 2001年04月23日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 脆性破壊層の存在していない極薄半導体装置を提供する。【解決手段】 本発明は、表面に複数の半導体素子が設けられたウェーハを分割するウェーハ分割方法において、ウェーハ20の表面に要求される半導体装置11の厚さにほぼ等しい深さの複数の溝30を形成し、前記複数の半導体素子10が設けられている前記ウェーハ20の前記表面上に前記半導体素子10を保持するための保持部材40を配置し、前記溝30の底部に到達する直前まで前記ウェーハの裏面21を研削し、前記研削作用により形成された研削面22を研磨し、それにより前記ウェーハ20を個々の半導体装置11に分割する。
請求項（抜粋）：
表面に複数の半導体素子が設けられたウェーハを分割するウェーハ分割方法において、該ウェーハの表面に要求される半導体装置の厚さにほぼ等しい深さの複数の溝を形成し、前記ウェーハの前記表面上に前記半導体素子を保持するための保持部材を配置し、前記溝の底部に到達する直前まで前記ウェーハの裏面を研削し、前記研削作用により形成された研削面を研磨し、それにより前記ウェーハを個々の半導体装置に分割するウェーハ分割方法。
FI (3件)：
H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 B ,  H01L 21/78 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
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