特許

J-GLOBAL ID：200903008892753020

高周波半導体回路および高周波半導体集積回路

発明者： 小野 政好 ,  末松 憲治 ,  高木 直
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-139862
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332547
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 雑音特性に優れ、低消費電力、製作容易で歩留り良く、低価格なホモ接合形バイポーラトランジスタ(BJT)を有効に利用しつつ、普及しているシリコンBiCMOSプロセスを用いて容易に同一半導体チップ上に集積化でき、低ひずみ特性の多段増幅器を形成する高周波半導体集積回路を得ること。【解決手段】 シリコンBJTからなる増幅器と、SiGe HBT(ヘテロ接合形バイポーラトランジスタ)からなる増幅器とを備え、少なくとも最終段をSiGe HBTからなる増幅器として複数段接続した多段増幅器をシリコンBiCMOSプロセスを用いて同一半導体チップ上に形成した。

請求項（抜粋）：

ホモ接合形バイポーラトランジスタ(BJT)からなる増幅器と、ヘテロ接合形バイポーラトランジスタ(HBT)からなる増幅器とを備え、少なくとも最終段をヘテロ接合形バイポーラトランジスタ(HBT)からなる増幅器として複数段接続した多段増幅器を形成した高周波半導体回路。

IPC (4件)：

H03F 3/19 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8249

FI (3件)：

H03F 3/19 ,  H01L 27/06 101 B ,  H01L 27/06 321 E

Fターム (36件)：

5F048AA01 ,  5F048AA10 ,  5F048AB05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC05 ,  5F048AC10 ,  5F048CA00 ,  5F082AA06 ,  5F082AA08 ,  5F082BC03 ,  5F082BC09 ,  5F082BC15 ,  5F082CA01 ,  5F082CA03 ,  5F082FA03 ,  5F082FA20 ,  5J092AA01 ,  5J092CA21 ,  5J092CA36 ,  5J092CA87 ,  5J092CA91 ,  5J092FA15 ,  5J092HA02 ,  5J092HA06 ,  5J092HA10 ,  5J092HA18 ,  5J092HA25 ,  5J092HA29 ,  5J092KA00 ,  5J092KA03 ,  5J092KA05 ,  5J092MA08 ,  5J092MA17 ,  5J092MA21 ,  5J092TA01 ,  5J092VL04

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 増幅回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-121780   出願人：松下電器産業株式会社
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-092346   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-251253   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-023635
  
• 特開平2-023635
  
• 高周波回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-073466   出願人：三菱電機株式会社